1. 核心业绩突破

• 营收创新高：第三财季总营收93亿美元，较去年同期增长36.6%，环比增长15.5%，创公司单季度历史纪录。

• 利润暴涨：GAAP净利润18.85亿美元，达到去年同期的5.6倍，环比增长19%。

• DRAM驱动增长：DRAM业务贡献约72%营收（约67亿美元），收入规模创历史最高水平，同比上升41%。

• HBM爆发式增长：高带宽内存（HBM）收入环比激增近50%，连续两个季度增幅超40%。

2. 技术突破与需求扩张

HBM技术领先

• 2024年HBM产能已全部售罄，2025年订单溢价达15%-20%。

• 计划2025年第四财季量产16层堆叠的HBM4样品，同步推进GDDR7显存交付（带宽达192GB/s）。

数据中心需求倍增

• AI服务器DRAM搭载量飙升至1.5TB/台（传统服务器8倍），推动数据中心收入同比暴涨超100%。

• 32G DDR5 RDIMM模组成为市场主流，单价较DDR4提高40%。

3. 终端市场全面复苏

• 消费电子：安卓旗舰手机DRAM容量升级至16GB（LPDDR5X），带动该领域收入环比增长25%。

• 汽车/工业：智能驾驶域控制器需求激增（如英伟达Thor平台），相关收入环比提升12%。

• 行业价格企稳：DDR5 16Gb颗粒第三财季均价4.58美元，环比上涨18%，预计第四财季再涨8%-10%。

4. 未来展望与行业影响

• 业绩指引：预计第四财季营收107亿美元（±3亿美元），环比再增15%；资本开支上调至80亿美元，重点扩产HBM产线。

• 市场反应：财报发布后股价盘后大涨14%，摩根士丹利将目标价上调至180美元。

• 竞争格局：分析师预测美光HBM市占率将从当前25%升至2025年末的35%，直接挑战SK海力士龙头地位。

关键洞察：存储行业已进入强复苏周期，AI驱动的高性能存储需求正重塑市场格局，美光凭借HBM技术突破占据战略先机。